1)При каком условии в примесном полупроводнике возникает электронная проводимость?
a. тончайший слой на границе между полупроводниками n-типа и p-типа, обедненный подвижными носителями заряда.
b. ток, образованный движущимися электронами. при низких температурах проводимость полупроводников возрастает; при повышении их проводимость уменьшается.
c. вследствие теплового движения или под действием поглощенного света валентные электроны отрываются от атомов.
d. искажают кристаллическую решетку и нарушают валентную связь между атомами, что увеличивает проводимость проводников.
e. при наличии в кристаллической решетке примесного атома с избыточным электроном.
f. полупроводниками n-типа.
g. при низких температурах проводимость полупроводников практически равна нулю, при повышении температуры возрастает.
h. под влиянием высокой температуры или света валентные электроны могут оторваться от атомов и стать свободными.
i. под действием высокого напряжения валентные электроны отрываются от атомов. В атоме образуется вакантное место - "дырка".
j. при наличии в кристаллической решетке примесного атома с недостающим электроном.
2.Какова природа тока в полупроводнике?
a. при низких температурах проводимость полупроводников практически равна нулю, при повышении температуры возрастает.
b. тончайший слой на границе между полупроводниками n-типа и p-типа, обедненный подвижными носителями заряда.
c. при наличии в кристаллической решетке примесного атома с недостающим электроном.
d. вследствие теплового движения или под действием поглощенного света валентные электроны отрываются от атомов.
e. под влиянием высокой температуры или света валентные электроны могут оторваться от атомов и стать свободными.
f. полупроводниками n-типа.
g. под действием высокого напряжения валентные электроны отрываются от атомов. В атоме образуется вакантное место - "дырка".
h. ток, образованный движущимися электронами. при низких температурах проводимость полупроводников возрастает; при повышении их проводимость уменьшается.
i. искажают кристаллическую решетку и нарушают валентную связь между атомами, что увеличивает проводимость проводников.
j. равен сумме токов, образованных электронной и дырочной проводимостями.
3.При каких условиях чистые полупроводники становятся электропроводными?
a. под действием высокого напряжения валентные электроны отрываются от атомов. В атоме образуется вакантное место - "дырка".
b. при низких температурах проводимость полупроводников практически равна нулю, при повышении температуры возрастает.
c. при наличии в кристаллической решетке примесного атома с недостающим электроном.
d. ток, образованный движущимися электронами. при низких температурах проводимость полупроводников возрастает; при повышении их проводимость уменьшается.
e. при наличии в кристаллической решетке примесного атома с избыточным электроном.
f. искажают кристаллическую решетку и нарушают валентную связь между атомами, что увеличивает проводимость проводников.
g. тончайший слой на границе между полупроводниками n-типа и p-типа, обедненный подвижными носителями заряда.
h. вследствие теплового движения или под действием поглощенного света валентные электроны отрываются от атомов.
i. под влиянием высокой температуры или света валентные электроны могут оторваться от атомов и стать свободными.
j. проводимость беспримесных полупроводников.
4.Как влияет на проводимость полупроводников наличие в них примесей?
a. при наличии в кристаллической решетке примесного атома с избыточным электроном.
b. тончайший слой на границе между полупроводниками n-типа и p-типа, обедненный подвижными носителями заряда.
c. В атоме образуется вакантное место - "дырка".
d. при низких температурах проводимость полупроводников практически равна нулю, при повышении температуры возрастает.
e. ток, образованный движущимися электронами. при низких температурах проводимость полупроводников возрастает; при повышении их проводимость уменьшается.
f. искажают кристаллическую решетку и нарушают валентную связь между атомами, что увеличивает проводимость проводников.
g. при наличии в кристаллической решетке примесного атома с недостающим электроном.
h. вследствие теплового движения или под действием поглощенного света валентные электроны отрываются от атомов.
i. под влиянием высокой температуры или света валентные электроны могут оторваться от атомов и стать свободными.
j. под действием высокого напряжения валентные электроны отрываются от атомов. В атоме образуется вакантное место - "дырка".
Пусть у нас v = 10, A=45
вертикальная скорость vy = v * sin(45) = v / корень(2) = 7,07 м/с. Это мы договорились об обозначениях.
Идём теперь втыкать:
L = 2 * vx * vy / g = 2 * 7,07 * 7,07 / 10 = 10 м -- дальность полёта
H = vy^2 / (2g) = 7,07 * 7,07 / ( 2 * 10 ) = 2,5 м -- высота подъёма
t = корень(2*Н/g) = 1/корень(2) = 0,707 с -- время подъёма
Т = 2t = 2 * 0,707 = 1,41 c -- время полёта
Пересчитай сам на калькуляторе, а то мало ли.
Fа+N=mg, где N-сила реакции опоры, она равна, по 3-му закону Ньютона, силе давления шара, равна 1/3mg(по услов.), тогда, зная, что плотность p=m/V и расписав выталкивающую сил по закону Архимеда, получим выражение, из которого найдём плотность:
p воды* V/2*g=2/3 p шара*V*g, в левой части берём V/2, т.к. погружена в воду, по условию, только половина шара; ну и всё, плотность воды/10^3 кг/м^3, после нехитрых преобразований получим ответ