Болат сымның ұзындығын 1/4 бөлікке қысқартса, оның кедергісі қалай өзгереді? ​

Поле совершает работу по перемещению заряда.
A=EqΔd (Δd ─ расстояние l по условию, но я заменю на переменную S для удобства, а то в печатном тексте l непонятна, палка какая-то)
A=EqS
Но с другой стороны, работа А - это сила на перемещение
A=F*S
F=m*a (ускорение а имеет место быть, потому что частица ПРИОБРЕТАЕТ скорость, т.е. ускоряется)
a=(v-v0)/t; v0=0 (про наличие начальной скорости ничего не сказано, в топку её)
Теперь объединяем всё в одну формулу:
A=mvS/t=EqS
mv=Eqt
E=mv/qt. Далее буду считать Е как известную величину.
Пусть S ищем из механики.

Преобразовывая ускорение и избавляясь от начальных величин, которые равны нулю, получаем:
S=vt/2.
Далее напряжение. Вспоминаем связь напряжения и напряженности: U=EΔd, где Δd уже известный нам путь S.
Числовые значения поставь сама, не забудь скорость перевести все в систему СИ.
Удачи :)

. При температуре абсолютного нуля (T=0° K) все валентные электроны находятся в ковалентных связях, следовательно, свободные носители заряда отсутствуют, и полупроводник подобен диэлектрику. При повышении температуры или при облучении полупроводника лучистой энергией валентный электрон может выйти из ковалентной связи и стать свободным носителем электрического заряда. (Рис. 1.2). При этом ковалентная связь становится дефектной, в ней образуется свободное (вакантное) место, которое может занять один из валентных электронов соседней связи, в результате чего вакантное место переместится к другой паре атомов. Перемещение вакантного места внутри кристаллической решетки можно рассматривать как перемещение некоторого фиктивного (виртуального) положительного заряда, величина которого равна заряду электрона. Такой положительный заряд принято называть дыркой.