Давление воздуха можно создать искусственно, например, на космической станции. А вот гидростатическое давление ртути, как и любой другой жидкости, в невесомости отсутствует, так как отсутствует сам вес жидкости
Подобную картину можно наблюдать, если с прибором Торричелли проехать в скоростном лифте вниз. На начальном этапе движения, когда лифт движется с ускорением в направлении ускорения свободного падения, вес ртути уменьшится, как и ее давление, и не изменившееся атмосферное давление тут же загонит ртуть обратно в трубку...))
Возможно, не до конца, - все зависит от ускорения, с которым движется лифт, но то, что увеличение уровня ртути можно будет увидеть, - абсолютно точно.
Для того, чтобы проведение опыта Торричелли в невесомости стало возможным, необходимо заставить всю конструкцию двигаться с ускорением, равным по величине ускорению свободного падения g = 9,81 Н/кг. Но, в этом случае, ртуть опять приобретет вес..))
Поэтому точный ответ на Ваш вопрос: нет, - в условиях невесомости провести опыт Торричелли невозможно
Примесная проводимость полупроводников — электрическая проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике донорных или акцепторных примесей.
Примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную, и поэтому электрические свойства полупроводников определяются типом и количеством введенных в него легирующих примесей.
Собственная проводимость полупроводников обычно невелика, так как число свободных электронов, например, в германии при комнатной температуре порядка 3·1013 / см3. В то же время число атомов германия в 1 см3 ~ 1023. Проводимость полупроводников увеличивается с введением примесей, когда наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная примесная проводимость.
Примесными центрами могут быть:
атомы или ионы химических элементов, внедренные в решетку полупроводника;
избыточные атомы или ионы, внедренные в междоузлия решетки;
различного рода другие дефекты и искажения в кристаллической решетке: пустые узлы, трещины, сдвиги, возникающие при деформациях кристаллов, и др.
Изменяя концентрацию примесей, можно значительно увеличивать число носителей зарядов того или иного знака и создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей.
Примеси можно разделить на донорные (отдающие) и акцепторные (принимающие).
Давление воздуха можно создать искусственно, например, на космической станции. А вот гидростатическое давление ртути, как и любой другой жидкости, в невесомости отсутствует, так как отсутствует сам вес жидкости
Подобную картину можно наблюдать, если с прибором Торричелли проехать в скоростном лифте вниз. На начальном этапе движения, когда лифт движется с ускорением в направлении ускорения свободного падения, вес ртути уменьшится, как и ее давление, и не изменившееся атмосферное давление тут же загонит ртуть обратно в трубку...))
Возможно, не до конца, - все зависит от ускорения, с которым движется лифт, но то, что увеличение уровня ртути можно будет увидеть, - абсолютно точно.
Для того, чтобы проведение опыта Торричелли в невесомости стало возможным, необходимо заставить всю конструкцию двигаться с ускорением, равным по величине ускорению свободного падения g = 9,81 Н/кг. Но, в этом случае, ртуть опять приобретет вес..))
Поэтому точный ответ на Ваш вопрос: нет, - в условиях невесомости провести опыт Торричелли невозможно
Примесная проводимость полупроводников — электрическая проводимость, обусловленная наличием в полупроводнике донорных или акцепторных примесей.
Примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную, и поэтому электрические свойства полупроводников определяются типом и количеством введенных в него легирующих примесей.
Собственная проводимость полупроводников обычно невелика, так как число свободных электронов, например, в германии при комнатной температуре порядка 3·1013 / см3. В то же время число атомов германия в 1 см3 ~ 1023. Проводимость полупроводников увеличивается с введением примесей, когда наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная примесная проводимость.
Примесными центрами могут быть:
атомы или ионы химических элементов, внедренные в решетку полупроводника;
избыточные атомы или ионы, внедренные в междоузлия решетки;
различного рода другие дефекты и искажения в кристаллической решетке: пустые узлы, трещины, сдвиги, возникающие при деформациях кристаллов, и др.
Изменяя концентрацию примесей, можно значительно увеличивать число носителей зарядов того или иного знака и создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей.
Примеси можно разделить на донорные (отдающие) и акцепторные (принимающие).