Два точечных электрических заряда взаимодействуют в воде (€3 81) с силой 3-10* Н, а в плексигласе —с силой 7,4-10* Н. Считая расстояние между зарядами постоянным определите диэлектрическую проницаемость плексигласа.
Для нагрева до температуры кипения требуется количество теплоты Q1=c*m*(t2-t1), где с=4200 Дж/(кг*град)-удельная теплоемкость воды, m=700 г = 0.7 кг-масса воды, t2=100°С - конечная температура, t1=20°С-начальная температура. Q1=4200*0.7*(100-20)=240000 Дж = 0.24 МДж.
Для превращения в пар требуется количество теплоты Q2=L*m, где L=2.3*10^6 Дж - удельная теплота парообразования воды. Q2=0.7*2.3*10^6 = 1.61*10^6 Дж = 1.61МДж.
Полное количество теплоты Q=Q1+Q2=0.24+1.61=1.85 МДж.
Удельное сопротивление проводника — скалярная физическая величина, численно равная сопротивлению однородного цилиндрического проводника, изготовленного из данного вещества и имеющего длину 1 м и площадь поперечного сечения 1 м2, или сопротивлению куба с ребром 1 м. Единицей удельного сопротивления в СИ является ом-метр (Ом·м).
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике; интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания; интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и
ответ: САМ
Объяснение:
Для нагрева до температуры кипения требуется количество теплоты Q1=c*m*(t2-t1), где с=4200 Дж/(кг*град)-удельная теплоемкость воды, m=700 г = 0.7 кг-масса воды, t2=100°С - конечная температура, t1=20°С-начальная температура. Q1=4200*0.7*(100-20)=240000 Дж = 0.24 МДж.
Для превращения в пар требуется количество теплоты Q2=L*m, где L=2.3*10^6 Дж - удельная теплота парообразования воды. Q2=0.7*2.3*10^6 = 1.61*10^6 Дж = 1.61МДж.
Полное количество теплоты Q=Q1+Q2=0.24+1.61=1.85 МДж.
Удельное сопротивление металлического проводника зависит от
концентрации свободных электронов в проводнике;
интенсивности рассеивания свободных электронов на ионах кристаллической решетки, совершающих тепловые колебания;
интенсивности рассеивания свободных электронов на дефектах и