Исследовать вольт-амперную характеристику диода. Построить вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов. Найти IД для Si и Ge. При постройке теоретической ВАХ диода учитывать напряжение открытия Si диода 0,6-1,2 В, Ge диода 0,3-0,6 В. ответить на контрольные вопросы по вариантам. Вариант выбрать из списка обучающихся на портале.
Здесь, для Si: I0=10 нА; для Ge: I0=1 мкА; φ_t≈25мВ.

Прямая
ВАХ Uд 0 0,01 0,02 0,04 0,05 0,08 0,1 0,12 0,15 …
IД
Обратная ВАХ Uд 1 2 5 10 50 100 200 300 500 …
IД

Из формулы потенциальной энергии видно, что нулевой уровень её будет только в одной точке с координатами (0;0;0). чем дальше частица от этой точки, тем выше её потенциальная энергия. ещё одно замечание связано с тем, что работа силы поля равна разности потенциальных энергий в конце и начале пути. теперь можно подставить значения координат точек и посчитать потенциальную энергию двух этих положений U1=18; U2=18; => работа на данном пути равна нулю. это полно представить так, что вокруг точки (0;0;0) есть области с одинаковыми уровнями энергии, если бы в формуле энергии небыло бы двойки перед х^2 то эта область имела бы форму сферы, а так она будет иметь такую каплевидную фору симметричную относительно оси Ох. эта область как раз будет характеризоваться тем, что работа потенциальной силы в этой области будет равна нулю

Альбе́рт Эйнште́йн (нем. Albert Einstein, МФА [ˈalbɐt ˈaɪ̯nʃtaɪ̯n] Информация о файле слушать[C 1]; 14 марта 1879, Ульм, Королевство Вюртемберг, Германия — 18 апреля 1955, Принстон, Нью-Джерси, США) — физик-теоретик, один из основателей современной теоретической физики, лауреат Нобелевской премии по физике 1921 года, общественный деятель-гуманист. Жил в Германии (1879—1893, 1914—1933), Швейцарии (1893—1914) и США (1933—1955). Почётный доктор около 20 ведущих университетов мира, член многих Академий наук, в том числе иностранный почётный член АН СССР (1926).