Известен обратный ток насыщения некоторого диода I0=2 мкА с
барьером Шотки. Диод соединен последовательно с резистором и источником
постоянного напряжения смещения Eсм=0,2 В, так что на диод подается прямое
напряжение. Определить сопротивление резистора, если задано падение
напряжения на нем UR=0,1B
.1
Третий закон фотоэффекта: для каждого вещества существует максимальная длина волны, при которой фотоэффект еще наблюдается. При больших длинах волн фотоэффекта нет.
Для цинка красной границе соответствует длина волны Лmах = 3,7 • 10-7 м (ультрафполетовое излучение).
Именно этим объясняется опыт по прекращению фотоэффекта с стеклянной пластинки, задерживающей ультрафполетовые лучи.
2 и 3.
Основное влияние на характер протекания фотоэффекта оказывают свойства облучаемого материала (проводник, полупроводник, диэлектрик), а также энергия фотонов, так как для каждого материала существует минимальное значение энергии фотонов, при которой фотоэффект прекращается.
В электрическом поле находится заряженная частица. Сила тяжести частицы равны силе, действующей на частицу в электрическом поле.
Здесь:
U - напряжение между обкладками конденсатора
m - масса частицы
d - расстояние между обкладками конденсатора
g - ускорение свободного падения
Тогда сила тяжести:
Fт = m·g
E = U/d
E = F/q
U/d = F/q
Но электростатическая сила F = Fт = m·g
Получаем:
q = m·g·d / U ≈ 9,8·10⁻¹⁵ Кл
ответ: заряд частицы, помещенной в конденсатор равен 9,8 ·10⁻¹⁵ Кулона