Напівпровідники - це речовини, в яких електричний струм утворюється рухом електронів, а величина питомого опору знаходиться в межах між провідниками і діелектриками. Напівпровідниками є хімічні елементи IV, У і VI груп періодичної системи Менделєєва Д. І. - графіт, кремній, германій, селен та інші, а також багато окисли та інші сполуки різних металів. Кількість рухомих носіїв зарядів у напівпровідниках у звичайних умовах невелика, проте воно зростає в сотні і тисячі разів при деяких зовнішніх впливах (нагрівання, дія світла тощо), а також при наявності в П. певних домішок. Напівпровідники поділяються на електронні (типу n) і діркові (типу p). В П. типу і в якості носіїв зарядів розглядаються електрони, які при утворенні струму переміщаються по всьому П. подібно вільним електронам в металах. В П. типу p в якості носіїв зарядів розглядаються так звані дірки (під дірками розуміється вільне місце біля атома, яке може бути включена стороннім йому електроном). Дірки вважаються еквівалентом позитивного заряду, рівного електрону. При утворенні струму в П. типу p електрони здійснюють тільки спрямовані перескакування між сусідніми атомами; при перескоке електрона з однієї дірки в іншу дірка переміщається в протилежному напрямку, що і розглядається як освіта струму.
Нет нельзя.Выигрыш в силе даёт только подвижный блок.Чтобы получить выигрыш в силе обычно применяют подвижный и неподвижный блоки вместе.Неподвижный применяют для удобства ,чтобы менять направление действия силы . Чтобы выигрыш в силе был в 4 раза,надо,чтобы плечо силы рабочего было в 4 раза большьше.F=P/4.Где Р-плечо силы тяжести, F-плечо силы.Но так как всегда F будет в два раза меньше силы Р, то и выигрыш в силе будет только в 2 раза при применении одного подвижного и одного не подвижного блоков.
Напівпровідники - це речовини, в яких електричний струм утворюється рухом електронів, а величина питомого опору знаходиться в межах між провідниками і діелектриками. Напівпровідниками є хімічні елементи IV, У і VI груп періодичної системи Менделєєва Д. І. - графіт, кремній, германій, селен та інші, а також багато окисли та інші сполуки різних металів. Кількість рухомих носіїв зарядів у напівпровідниках у звичайних умовах невелика, проте воно зростає в сотні і тисячі разів при деяких зовнішніх впливах (нагрівання, дія світла тощо), а також при наявності в П. певних домішок.
Напівпровідники поділяються на електронні (типу n) і діркові (типу p). В П. типу і в якості носіїв зарядів розглядаються електрони, які при утворенні струму переміщаються по всьому П. подібно вільним електронам в металах. В П. типу p в якості носіїв зарядів розглядаються так звані дірки (під дірками розуміється вільне місце біля атома, яке може бути включена стороннім йому електроном). Дірки вважаються еквівалентом позитивного заряду, рівного електрону. При утворенні струму в П. типу p електрони здійснюють тільки спрямовані перескакування між сусідніми атомами; при перескоке електрона з однієї дірки в іншу дірка переміщається в протилежному напрямку, що і розглядається як освіта струму.
F-плечо силы.Но так как всегда F будет в два раза меньше силы Р, то и выигрыш в силе будет только в 2 раза при применении одного подвижного и одного не подвижного блоков.
.