Контрольный тест по теме: «Работа и мощность электрического тока» 8 класс Вариант 2 Часть 1 1. Чему равна работа электрического тока на участке цепи? а) Работа электрического тока на участке цепи равна произведению напряжения на концах этого участка на сопротивление и на время, в течение которого совершалась работа. б) Работа электрического тока на участке цепи равна произведению напряжения на концах этого участка на силу тока и на время, в течение которого совершалась работа. 2. С какого прибора измеряют мощность электрического тока? а) вольтметр б) реостат в) ваттметр 3. Кто создал лампу, удобную для промышленного изготовления, с угольной нитью а) Томас Эдисон б) Лодыгин Александр Николаевич 4. Кто открыл закон, показывающий, как и от чего зависит на участке электрической цепи количество выделяемого током тепла? а) Ом б) Джоуль и Ленц 5. По какой формуле вычисляется мощность электрического тока? а) A=IUt б) P=UI в) I=U/R г) I=q/t д) U=A/q 6. 1 На рисунке в электрическую цепь включены четыре электрические лампы. 4 Какие из них включены последовательно? 2 2 а) Только лампы 2 и 3 б) Только лампы 1 и 4 3 в) Лампы 1, 2 и 3 г) Все четыре лампы 7. Какой формулой выражается закон Джоуля Ленца? а) A=IUt б) P=UI в) I=U/R г) Q=I²Rt д) U=A/q 8. Что обозначает буква Q? а) количество теплоты б) количество энергии в) силу тока 9. Какую электрическую цепь называют замкнутой; разомкнутой? а) Когда у тебя в комнате люстра светится, то эта цепь замкнута, если не светится - разомкнута. б) Когда у тебя в комнате люстра не светится, то эта цепь замкнута, если светится - разомкнута. 10. 1 МДж равен? а)100 Дж б) 1000 Дж в) 1 000 000 Дж Часть 2 1. Какое количество теплоты выделяется в проводнике сопротивлением 100 Ом за 20с при силе тока 2А? 2. Определите силу тока, проходящего через реостат, изготовленный из никелиновой проволоки длиной 50м и площадью поперечного сечения 1 мм², если напряжение на зажимах реостата равно 45 В. Удельное сопротивление никелина 0,4 (Ом· мм²) / м.
4,9(3) км/ч
Приблизительно 4,9 км/ч
Объяснение:
Чтоб посчитать среднюю скорость, нужно сложить все расстояние, что пешеход и поделить на суммарное время, за которое он шёл.
Но у нас нет расстояний за оба периода времени, потому будем искать их
известно, что скорость - это сколько метров (километров в нашем случае) ты проходишь за секунду (час в нашем случае)
v=L/t
тогда, чтоб узнать расстояние, нам надо умножить скорость на количество времени
L=v*t
Главное соблюдать размерности. У нас в задаче есть скорость в км/ч и в м/с. Удобнее все приводить к км/ч, так как время у нас в часах. Потому приведём м/с в км/ч
1 м/с = (1/1000)км/(1/3600)ч=1/1000*3600 км/ч=3,6 км/ч
Теперь переведём 1,5 м/с в км/ч
1,5*3,6=5,4 км/ч
Теперь запишем общее уравнение для средней скорости, сразу поменяв пройденное расстояние формулой L=v*t
v(ср)=(v1*t1+v2*t2)/(t1+t2)=(4*0.5+5.4*1)/(0.5+1)=(2+5.4)/1.5=7.4/1.5=4,9(3) км/ч
Приблизительно 4,9 км/ч
Примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную, и поэтому электрические свойства полупроводников определяются типом и количеством введенных в него легирующих примесей.
Собственная проводимость полупроводников обычно невелика, так как число свободных электронов, например, в германии при комнатной температуре порядка 3·1013 / см3. В то же время число атомов германия в 1 см3 ~ 1023. Проводимость полупроводников увеличивается с введением примесей, когда наряду с собственной проводимостью возникает дополнительная примесная проводимость.
Примесными центрами могут быть:
атомы или ионы химических элементов, внедренные в решетку полупроводника;
избыточные атомы или ионы, внедренные в междоузлия решетки;
различного рода другие дефекты и искажения в кристаллической решетке: пустые узлы, трещины, сдвиги, возникающие при деформациях кристаллов, и др.
Изменяя концентрацию примесей, можно значительно увеличивать число носителей зарядов того или иного знака и создавать полупроводники с преимущественной концентрацией либо отрицательно, либо положительно заряженных носителей.
Примеси можно разделить на донорные (отдающие) и акцепторные (принимающие).
Рассмотрим механизм электропроводности полупроводника с донорной пятивалентной примесью мышьяка As5+, которую вводят в кристалл, например, кремния. Пятивалентный атом мышьяка отдает четыре валентных электрона на образование ковалентных связей, а пятый электрон оказывается незанятым в этих связях.
Энергия отрыва (энергия ионизации) пятого валентного электрона мышьяка в кремнии равна 0,05 эВ = 0,08·10−19 Дж, что в 20 раз меньше энергии отрыва электрона от атома кремния. Поэтому уже при комнатной температуре почти все атомы мышьяка теряют один из своих электронов и становятся положительными ионами. Положительные ионы мышьяка не могут захватить электроны соседних атомов, так как все четыре связи у них уже укомплектованы электронами. В этом случае перемещения электронной вакансии — «дырки» не происходит и дырочная проводимость очень мала, то есть практически отсутствует. Небольшая часть собственных атомов полупроводника ионизирована, и часть тока образуется дырками, то есть донорные примеси — это примеси, поставляющие электроны проводимости без возникновения равного количества подвижных дырок. В итоге мы получаем полупроводник с преимущественно электронной проводимостью, называемый полупроводником n-типа.
В случае акцепторной примеси, например, трехвалентного индия In3+ атом примеси может дать свои три электрона для осуществления ковалентной связи только с тремя соседними атомами кремния, а одного электрона «недостает». Один из электронов соседних атомов кремния может заполнить эту связь, тогда атом In станет неподвижным отрицательным ионом, а на месте ушедшего от одного из атомов кремния электрона образуется дырка. Акцепторные примеси, захватывая электроны и создавая тем самым подвижные дырки, не увеличивают при этом числа электронов проводимости. Основные носители заряда в полупроводнике с акцепторной примесью — дырки, а неосновные — электроны.
Полупроводники, у которых концентрация дырок превышает концентрацию электронов проводимости, называются полупроводниками р-типа.
Необходимо отметить, что введение примесей в полупроводники, как и в любых металлах, нарушает строение кристаллической решетки и затрудняет движение электронов. Однако сопротивление не увеличивается из-за того, что увеличение концентрации носителей зарядов значительно уменьшает сопротивление. Так, введение примеси бора в количестве 1 атом на сто тысяч атомов кремния уменьшает удельное электрическое сопротивление кремния приблизительно в тысячу раз, а примесь одного атома индия на 108 — 109 атомов германия уменьшает удельное электрическое сопротивление германия в миллионы раз.
Возможность управления удельным сопротивлением благодаря введению примесей используется в полупроводниковых приборах.
Дырочная проводимость не является исключительной особенностью полупроводников. У некоторых металлов и их сплавов существует смешанная электронно-дырочная проводимость за счет перемещений некоторой части неколлективированных валентных электронов. Например, в цинке, бериллии, кадмии, сплавах меди с оловом дырочная составляющая электрического тока преобладает над электронной.
Если в полупроводник одновременно вводятся и донорные и акцепторные примеси, то характер проводимости (n- или p-тип) определяется примесью с более высокой концентрацией носителей тока — электронов или дырок.