На дифракционную решетку с периодом 0,01 мм падает монохроматический свет с длиной волны 500 нм. на каком расстоянии от дифракционной решетки находится экран, если расстояние между максимумами второго порядка 20 см?
Синквейн на тему день святого валентина день святого валентина влюбленные отмечают дарят признаются в любви с валентинки праздник синквейн на тему трение трение полезное и вредное удерживает, , изнашивает без трения нет движения, нему мы ходим необходимо синквейн на тему андрей боголюбский андрей боголюбский благочестивый мужественный возводил сочинял канонизировали сочетал воинскую доблесть с миролюбием князь синквейн на тему урфо урфо административный федеральный образует составляет отчисляют формирование в россии, в пределах урала и западной сибири округ синквейн на тему колонизация колонизация внутрення внешняя осваивать поселять подчинять освоение и заселение новых территорий поселения синквейн на тему харизматический лидер харизматический лидер общественный политический ведет притягивает избирают вера в его экстраординарные качества вождь синквейн на тему безработица безработица вынужденная текучая оставляют меняют рабочая сила не занятая в производстве явление синквейн на тему безработица безработица поголовная стабильная заставляет затрудняет теряет отсутствие работы у людей проблема синквейн на тему индия индия загадочная экзотическая занимает поражает удивляет вторая по численности страна в мире страна контрастов синквейн на тему общение общение веселое непринужденное говорить слушать молчать процесс взаимодействия между людьми социум
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.