Електропровідність — здатність речовини проводити електричний струм.
Більшість рідин не мають вільних носіїв заряду і є діелектриками. Виняток становлять електроліти, наприклад вода чи розчини солей у воді. В електролітах частина нейтральних молекул дисоціює, утворюючи негативно й позитивно заряджені йони. Електропровідність електролітів зумовлена рухом цих йонів до аноду й катоду, відповідно. На аноді й катоді йони відновлюються чи окислюються, вступають в хімічні реакції. Усе це призводить до виникнення різноманітних гальванічних ефектів.
Власні напівпровідники зазвичай мають невелику концентрацію вільних носіїв заряду, електронів та дірок, яка залежить від ширини забороненої зони та температури. При збільшенні температури концентрація вільних електронів та дірок дуже швидко зростає. Ефект цього зростання набагато перевищує ефект від збільшення частоти актів розсіяння, тож провідність власних напівпровідників різко збільшується при високих температурах.
После того, как предмет приблизили к линзе d1 = d-1; f1= (f+x); Г1 = f1 / d1 ; f1 = Г1·d1 Рассуждая аналогично, ка было сделано выше получаем: 1/F = 1/d1 + 1/f1 или 1/F = f1*d1 / (f1+d2) 1/F = Г1·d1·d1 / (Г1·d1 + d1) = Г1·d1 / (Г1 +1) (2)
Поскольку фокус НЕ ИЗМЕНИЛСЯ, то приравниваем (1) и (2) с учетом данных по условию задачи: 2·d / (2+1) = 4·(d-1) / (4+1) d = 6 см f = 12 см
d1 = 5 f2 = 4·5 = 20 см
Было f = 12 см , стало f1 = 20 см Экран передвинули на 20-12 = 8 см
Електропровідність — здатність речовини проводити електричний струм.
Більшість рідин не мають вільних носіїв заряду і є діелектриками. Виняток становлять електроліти, наприклад вода чи розчини солей у воді. В електролітах частина нейтральних молекул дисоціює, утворюючи негативно й позитивно заряджені йони. Електропровідність електролітів зумовлена рухом цих йонів до аноду й катоду, відповідно. На аноді й катоді йони відновлюються чи окислюються, вступають в хімічні реакції. Усе це призводить до виникнення різноманітних гальванічних ефектів.Власні напівпровідники зазвичай мають невелику концентрацію вільних носіїв заряду, електронів та дірок, яка залежить від ширини забороненої зони та температури. При збільшенні температури концентрація вільних електронів та дірок дуже швидко зростає. Ефект цього зростання набагато перевищує ефект від збільшення частоти актів розсіяння, тож провідність власних напівпровідників різко збільшується при високих температурах.
Г= f / d, (1)
где
f - расстояние до изображения предмета
d - расстояние до предмета,
тогда f = Г·d:
По формуле тонкой линзы:
1/F = 1/d + 1/f или
1/F =f·d / (f +d)
1/F = Г·d*d / (Г·d+d) = Г·d / (Г+1) (1)
После того, как предмет приблизили к линзе d1 = d-1;
f1= (f+x); Г1 = f1 / d1 ; f1 = Г1·d1
Рассуждая аналогично, ка было сделано выше получаем:
1/F = 1/d1 + 1/f1 или
1/F = f1*d1 / (f1+d2)
1/F = Г1·d1·d1 / (Г1·d1 + d1) = Г1·d1 / (Г1 +1) (2)
Поскольку фокус НЕ ИЗМЕНИЛСЯ, то приравниваем (1) и (2) с учетом данных по условию задачи:
2·d / (2+1) = 4·(d-1) / (4+1)
d = 6 см
f = 12 см
d1 = 5
f2 = 4·5 = 20 см
Было f = 12 см , стало f1 = 20 см
Экран передвинули на 20-12 = 8 см
ответ: 8 сантиметров