В
Все
М
Математика
А
Английский язык
Х
Химия
Э
Экономика
П
Право
И
Информатика
У
Українська мова
Қ
Қазақ тiлi
О
ОБЖ
Н
Немецкий язык
Б
Беларуская мова
У
Українська література
М
Музыка
П
Психология
А
Алгебра
Л
Литература
Б
Биология
М
МХК
О
Окружающий мир
О
Обществознание
И
История
Г
Геометрия
Ф
Французский язык
Ф
Физика
Д
Другие предметы
Р
Русский язык
Г
География
erro14
erro14
16.11.2020 15:33 •  Физика

Об`єм газу при тиску 0,96 Па дорівнює 5 м ³. Який об‘єм будемати газ за тиску 0,98 Па, якщо температура не змінювалася? ​

Показать ответ
Ответ:
Агентс
Агентс
26.09.2020 13:15

ответ: R = 806,7 Ом

Объяснение:

Ua=311 В

Р = 60 Вт

Сопротивление спирали лампы найдем по формуле

                         R = U²/Р                                                  (1)

где U - номинальное действующее напряжение лампы

      P - номинальная мощность лампы( по условию 60 Вт)

Данную формулу легко вывести из закона Ома

                        R = U/I                                                     (2)

Силу тока определяем из формулы для мощности

                        I = P/U                                                      (3)

Подставив (3) в (2) получим (1)

Определим действующее напряжение в сети.

Так как форма напряжения сети синусоидальная то действующее напряжение в √2 меньше амплитудного значения.

                             U = Ua/√2 = 311/√2 = 220 В

По условию задачи номинальное напряжение лампы не задано,

а оно может быть любым, поэтому принимаем номинальное напряжение лампы накаливания равным напряжению сети U=220В.

Вычисляем сопротивление раскаленной спирали лампы

                         R = 220²/60 = 806,7 Ом

Примечание: Сопротивление холодной спирали лампы будет меньше.

0,0(0 оценок)
Ответ:
perminovdima20
perminovdima20
07.02.2021 21:09

1)В проводнике всегда имеются свободные носители заряда, это его почти неотъемлемое свойство. В полупроводнике эти носители вот-вот появились бы, но "в норме" их нет; они появляются при определённых условиях, при добавлении каких-то примесей (легировании) и т. п.

Таким образом, образованием и исчезновением носителей полупроводника можно управлять технологически.

Например, соединив два куска проводника разного легирования, можно изготовить диод, который проводит ток только в одном направлении; соединив три куска, можно изготовить транзистор, в котором ток в одном куске управляет прохождением тока через два других (электронный вентиль) ; можно изготовить фотоэлемент, который под воздействием света будет менять свою проводимость и так далее.

2)При повышении температуры электролита возрастает средняя кинетическая энергия теплового движения молекул, увеличивается и число пар ионов, образующихся в единицу времени. Из-за увеличения концентрации ионов при повышении температуры значение электрического сопротивления электролита с повышением температуры уменьшается.

3)Чтобы убедиться в том, что в кольцевом сверхпроводнике действительно устанавливается неизменный ток, можно проверить неизменность магнитного поля, созданного сверхпроводником.

4)Дырочная проводимость (р-проводимость) — Проводимость полупроводника, в котором основными носителями заряда являются дырки. Такие полупроводники получаются при добавлении к чистому полупроводнику акцепторных примесей (см. Акцептор), что значительно увеличивает концентрацию дырок в полупроводнике.

5)Акцепторная примесь - (от лат. acceptor принимающий) примесь в полупроводнике, ионизация которой сопровождается захватом электронов из валентной зоны или с донорной примеси. Типичный пример акцепторной примеси - атомы элементов III группы (В, Al, Ga, In) в элементарных полупроводниках.

6)Какую примесь надо ввести в полупроводник, чтобы получить полупроводник n-типа? Полупроводник n-типа означает, что основные носители зарядов отрицательны (n - negativ), значит нужна примесь, которая "даёт" электроны, например, мышьяк As. Тот, кто даёт электроны - донор, как и тот кто кровь даёт.

7)В контакте двух проводников n- и p-типов происходит диффузия основных носителей заряда из одного проводника в другой, получится п-р или р-п переход.

8)При использовании p-n-перехода в реальных полупроводниковых приборах к нему может быть приложено внешнее напряжение. Величина и полярность этого напряжения определяют поведение перехода и проходящий через него электрический ток. Если положительный полюс источника питания подключается к p-области, а отрицательный – к n-области, то включение p-n-перехода называют прямым. При изменении указанной полярности включение p-n-перехода называют обратным.

При прямом включении p-n-перехода внешнее напряжение создает в переходе поле, которое противоположно по направлению внутреннему диффузионному полю, рисунок 2. Напряженность результирующего поля падает, что сопровождается сужением запирающего слоя. В результате этого большое количество основных носителей зарядов получает возможность диффузионно переходить в соседнюю область (ток дрейфа при этом не изменяется, поскольку он зависит от количества неосновных носителей, появляющихся на границах перехода), т.е. через переход будет протекать результирующий ток, определяемый в основном диффузионной составляющей. Диффузионный ток зависит от высоты потенциального барьера и по мере его снижения увеличивается экспоненциально.

9)Ионная проводимость - это проводимость водных растворов или расплавов электролитов, которая осуществляется ионами. Электролиз - процесс выделения на электроде вещества, связанного с окислительно-восстановительными реакциями.

10)Электролиз находит применение в очистке сточных вод (процессы электрокоагуляции, электроэкстракции, электрофлотации). Применяется для получения многих веществ (металлов, водорода, хлора и др.), при нанесении металлических покрытий (гальваностегия), воспроизведении формы предметов (гальванопластика).

Объяснение:

Бро, пыталась, честно!

0,0(0 оценок)
Популярные вопросы: Физика
Полный доступ
Позволит учиться лучше и быстрее. Неограниченный доступ к базе и ответам от экспертов и ai-bota Оформи подписку
logo
Начни делиться знаниями
Вход Регистрация
Что ты хочешь узнать?
Спроси ai-бота