Стандартная ЭКГ ― это запись электрических потенциалов в 12 отведениях:
1) отведения от конечностей ― электроды размещают чуть выше кисти, на внутренней поверхности правого (красный) и левого (желтый) предплечий, а также немного выше наружной лодыжки на левой (зеленый) и правой (черный ― заземление) голени;
а) двухполюсные (стандартные) ― I, II, III;
б) однополюсные (усиленные) ― aVL, aVR, aVF;
2) однополюсные грудные отведения ― V1–V6; расположение электродов на грудной клетке →рис. 25.1-1; отведения Vr3 и Vr4 следует записывать рутинно, если диагностируется инфаркт нижней стенки (вероятным критерием сопутствующего инфаркта правого желудочка является элевация сегмента ST в точке J в отведениях Vr3 и Vr4 ≥0,5 мм).
Расстояние между пластинами плоского конденсатора d = 5 мм, разность потенциалов U = 1,2 кВ. Определите: 1) поверхностную плотность заряда на пластинах конденсатора; 2) поверхностную плотность связанных зарядов на диэлектрике, если известно, что диэлектрическая восприимчивость диэлектрика, заполняющего пространство между пластинами, ε = 1. Дано U=1200 В d=5 мм σ - ?
Е=U/d=1200/5*10^-3=2,4*10^5 В/м E1=E/2 - напряженность поля 1 пластины E1=2*пи*k*σ=σ/2*εο σ=2*εο*E1=εο*E=8,85*10^-12*2,4*10^5=2,12*10^-6 Кл/м2 σ2=0 потому что диэлектрик не ослабляет электрического поля и поле диполей ( связанных зарядов равно 0)
Стандартная ЭКГ ― это запись электрических потенциалов в 12 отведениях:
1) отведения от конечностей ― электроды размещают чуть выше кисти, на внутренней поверхности правого (красный) и левого (желтый) предплечий, а также немного выше наружной лодыжки на левой (зеленый) и правой (черный ― заземление) голени;
а) двухполюсные (стандартные) ― I, II, III;
б) однополюсные (усиленные) ― aVL, aVR, aVF;
2) однополюсные грудные отведения ― V1–V6; расположение электродов на грудной клетке →рис. 25.1-1; отведения Vr3 и Vr4 следует записывать рутинно, если диагностируется инфаркт нижней стенки (вероятным критерием сопутствующего инфаркта правого желудочка является элевация сегмента ST в точке J в отведениях Vr3 и Vr4 ≥0,5 мм).
Дано U=1200 В d=5 мм σ - ?
Е=U/d=1200/5*10^-3=2,4*10^5 В/м
E1=E/2 - напряженность поля 1 пластины
E1=2*пи*k*σ=σ/2*εο
σ=2*εο*E1=εο*E=8,85*10^-12*2,4*10^5=2,12*10^-6 Кл/м2
σ2=0 потому что диэлектрик не ослабляет электрического поля и поле диполей ( связанных зарядов равно 0)