по відношенню до якої властивості анізотропні всі кристали? 1. всім кристалам притаманна анізотропія росту. 2. анізотропні хімічні властивості всіх кристалів. 3. по відношенню анізотропії міцності. 4. по відношенню оптичної анізотропії.
Объем количества воды, уравновешивающего свинец, в 11,3 раза больше объема грузика, ибо в 11,3 раза плотность свинца больше плотности воды. Если теперь лед растает, то погрузившийся в воду кусочек свинца, конечно, не заполнит собой той добавочной полости, которую занимал нагруженный лед. И уровень воды опустится.
Плотность пробки искать по справочникам не буду. Да это и самое главное... главное то, что ее плотность меньше плотности воды, значит ее уравновешивается меньшее количество воды. После таяния льда уровень воды поднимется
Объем количества воды, уравновешивающего свинец, в 11,3 раза больше объема грузика, ибо в 11,3 раза плотность свинца больше плотности воды. Если теперь лед растает, то погрузившийся в воду кусочек свинца, конечно, не заполнит собой той добавочной полости, которую занимал нагруженный лед. И уровень воды опустится.
Плотность пробки искать по справочникам не буду. Да это и самое главное... главное то, что ее плотность меньше плотности воды, значит ее уравновешивается меньшее количество воды. После таяния льда уровень воды поднимется
1.
равномерное изменение силы тока на 2 А в течении времени 0,25 с -это значит
∆I=2A ; ∆t=0.25 c (можно перейти от производных к конечным разностям(приращениям))
магнитный поток Ф=L*I
по закону электромагнитной индукции ЕДС ε=-∆Ф/∆t = -∆(L*I)Ф/∆t=-L*∆I/∆t
тогда L=-ε*∆t/∆I=-20*10^-3*0.25/2=-0,0025=-2.5 мГн
знак минус указывает на то, что направление вектора индукции магнитного потока, противоположно направлению индукционного тока
2.
магнитный поток в катушкепо ф-ле Ф=L*I =0.020*10= 0.2 Вб
3.
ЭДС индукции в солиноиде по ф-ле ε=-∆Ф/∆t*n =-(7-9)*10^-3/5*10^-3 *500=200 B
где n - число витков провода в соленоиде
***что-то в условии не то магнитный поток убывает равномерно с 7 до 9 мВб
у тебя поток возрастает --в любом случае изменение 2мВб