Вотличие от механики, которая изучает движение отдельных частиц или тел под действием различных сил, молекулярная имеет дело со свойствами вещества. как показывает опыт, всякое вещество состоит из большого числа отдельных микроскопических частиц — атомов и молекул, которые взаимодействуют между собой и находятся в непрестанном движении. такая система частиц называется макроскопической. можно выделить три наиболее характерных состояния, в которых может находиться вещество, — твердое, жидкое и газообразное. свойство тела находиться в одном из этих состояний есть его макроскопическое свойство, не зависящее от свойств отдельных частиц, образующих тело. например, железо может существовать в кристаллическом состоянии (в виде твердого тела) или пребывать в расплавленном состоянии (в виде жидкости), или испаряться в виде газа, хотя при переходе из одного состояния в другое с самими атомами железа не происходит никаких изменений. макроскопическими являются также свойства вещества по отношению к внешним воздействиям, например, сжимаемость. другими словами, макроскопические свойства — это свойства тела, рассматриваемые без учета его внутренней структуры. молекулярной — объяснение и изучение макроскопических свойств вещества исходя из известных микроскопических взаимодействий между отдельными составляющими его частицами. простейшее взаимодействие между частицами — обычное механическое столкновение, но взаимодействия могут быть и более сложными. с этой точки зрения рассмотрим существование твердого, жидкого и газообразного состояний. из механики известно, что положение частицы в пространстве характеризуется ее потенциальной энергией u(r), минимум которой отвечает положению устойчивого равновесия. величина ее кинетической энергии t служит мерой движения частицы. таким образом, в зависимости от соотношения между величинами потенциальной и кинетической энергий частица будет или «привязана» к определенной области пространства, или совершать свободное движение.
1. Теплоемкость твердого тела зависит от температуры в области высоких температур …
1. ~ Т –1 2. не зависит и равна 3R 3. ~ Т 3 4. ~
2. Теплоемкость твердого тела зависит от температуры в области низких температур …
1. ~ Т 3
2. ~ Т –1
3. не зависит и равна 3R
4. не зависит и равна 3/2 R
3. Энергия Ферми – это …
1. максимальное значение энергии, которое может иметь электрон в твердом теле при 0К
2. энергия, соответствующая дну зоны проводимости
3. минимальное значение энергии, которое может иметь электрон в твердом теле при 0К
4. энергия, соответствующая дну валентной зоны
4. Физический смысл энергии Ферми заключается в одном из следующих утверждений …
1. минимальная энергия электрона проводимости в металле при 0 К
2. максимальная энергия электрона проводимости в металле при 0 К
3. энергия, определяющая дно зоны проводимости
4. энергия, определяющая потолок валентной зоны
5. На рисунке приведено зонное строение кристалла при 0К, который является …
1. полупроводником
2. диэлектриком
3. проводником
4. однозначного ответа нет
6. Твердые тела являются проводниками, если…
1. валентная зона заполнена электронами полностью
2. в валентной зоне есть свободные энергетические уровни
3. зона проводимости заполнена полностью
4. в зоне проводимости есть свободные энергетические уровни
7. Если валентная зона заполнена электронами, но при этом перекрывается с зоной проводимости, то твердое тело является …
1. диэлектриком
2. проводником
3. полупроводником
4. проводником и полупроводником одновременно
8. Полупроводниками называются кристаллы, у которых при 0ºК …
1. перекрыты валентная зона и зона проводимости
2. заполнена зона проводимости
3. нет запрещенной зоны
4. заполнена валентная зона
9. Основными носителями тока в химически чистых полупроводниках являются …
1. только электроны
2. только дырки
3. электроны и ионы акцепторных атомов
4. дырки и электроны
10. Из приведенных ниже положений правильными для собственных полупроводников являются …
1. дырки возникают при захвате электронов атомами акцепторной примесей
2. уровень Ферми расположен посередине запрещенной зоны
3. валентная зона заполнена электронами не полностью
4. сопротивление полупроводников уменьшается с повышением температуры
1. 1,2 2. 2,3 3. 3,4 4. 2,4
11. Донорные примесные уровни располагаются …
1. в середине запрещенной зоны
2. у потолка валентной зоны
3. у дна зоны проводимости
4. между уровнем Ферми и потолком валентной зоны
12. С точки зрения зонной теории отрицательные носители тока в полупроводниках n-типа образуются в результате перехода электронов …
1. из валентной зоны в зону проводимости
2. с донорного уровня в зону проводимости
3. между уровнями валентной зоны
4. из валентной зоны на донорный уровень
13. Двойной электрический слой на границе р-n–перехода образуют …
1. дырки и электроны
2. отрицательные ионы акцепторного атома и положительные ионы донорного атома
3. отрицательные ионы донорного атома и положительные ионы и акцепторного атома
4. дырки и отрицательные ионы донорного атома
14. Положительный электрический слой на границе p-n- перехода образуется …
1. позитронами
2. положительными ионами акцепторной примеси
3. протонами
4. положительными ионами донорной примеси
15. Отрицательный электрический слой на границе p-n–перехода образуется …
1. электронами
2. дырками
3. отрицательными ионами донорных атомов
4. отрицательными ионами акцепторных атомов
16. Односторонняя проводимость р-n–перехода объясняется …
1. диффузией носителей тока
2. зависимостью сопротивления р-n–перехода от направления внешнего электрического поля
3. превышением концентрации основных носителей тока над неосновными
4. рекомбинацией носителей тока
17. Слабый ток через полупроводниковый диод при запирающем напряжении обусловлен …
1. увеличением толщины контактного слоя, обеднённого основными носителями тока
2. препятствием внешнего электрического поля движению основных носителей тока через p-n–переход
3. уменьшение сопротивления p-n перехода
4. ускорением внешним электрическим полем движения неосновных носителей тока через p-n–переход
18. Твердые тела не проводят электрический ток при 0 К, если…
1. в запрещенной зоне нет примесных уровней
2. в валентной зоне есть свободные энергетические уровни
3. зона проводимости заполнена электронами целиком
4. валентная зона заполнена электронами целиком