В
Все
М
Математика
А
Английский язык
Х
Химия
Э
Экономика
П
Право
И
Информатика
У
Українська мова
Қ
Қазақ тiлi
О
ОБЖ
Н
Немецкий язык
Б
Беларуская мова
У
Українська література
М
Музыка
П
Психология
А
Алгебра
Л
Литература
Б
Биология
М
МХК
О
Окружающий мир
О
Обществознание
И
История
Г
Геометрия
Ф
Французский язык
Ф
Физика
Д
Другие предметы
Р
Русский язык
Г
География
Эвелишка11
Эвелишка11
16.03.2021 19:42 •  Физика

Пример кипения в природе, технике и быту. с объяснением.

Показать ответ
Ответ:
mr1assira
mr1assira
30.05.2021 17:34

1. Теплоемкость твердого тела зависит от температуры в области высоких температур …

1. ~ Т –1 2. не зависит и равна 3R 3. ~ Т 3 4. ~ 

2. Теплоемкость твердого тела зависит от температуры в области низких температур …

1. ~ Т 3

2. ~ Т –1

3. не зависит и равна 3R

4. не зависит и равна 3/2 R

3. Энергия Ферми – это …

1. максимальное значение энергии, которое может иметь электрон в твердом теле при 0К

2. энергия, соответствующая дну зоны проводимости

3. минимальное значение энергии, которое может иметь электрон в твердом теле при 0К

4. энергия, соответствующая дну валентной зоны

4. Физический смысл энергии Ферми заключается в одном из следующих утверждений …

1. минимальная энергия электрона проводимости в металле при 0 К

2. максимальная энергия электрона проводимости в металле при 0 К

3. энергия, определяющая дно зоны проводимости

4. энергия, определяющая потолок валентной зоны

5. На рисунке приведено зонное строение кристалла при 0К, который является …

1. полупроводником

2. диэлектриком

3. проводником

4. однозначного ответа нет

6. Твердые тела являются проводниками, если…

1. валентная зона заполнена электронами полностью

2. в валентной зоне есть свободные энергетические уровни

3. зона проводимости заполнена полностью

4. в зоне проводимости есть свободные энергетические уровни

7. Если валентная зона заполнена электронами, но при этом перекрывается с зоной проводимости, то твердое тело является …

1. диэлектриком

2. проводником

3. полупроводником

4. проводником и полупроводником одновременно

8. Полупроводниками называются кристаллы, у которых при 0ºК …

1. перекрыты валентная зона и зона проводимости

2. заполнена зона проводимости

3. нет запрещенной зоны

4. заполнена валентная зона

9. Основными носителями тока в химически чистых полупроводниках являются …

1. только электроны

2. только дырки

3. электроны и ионы акцепторных атомов

4. дырки и электроны

10. Из приведенных ниже положений правильными для собственных полупроводников являются …

1. дырки возникают при захвате электронов атомами акцепторной примесей

2. уровень Ферми расположен посередине запрещенной зоны

3. валентная зона заполнена электронами не полностью

4. сопротивление полупроводников уменьшается с повышением температуры

1. 1,2 2. 2,3 3. 3,4 4. 2,4

11. Донорные примесные уровни располагаются …

1. в середине запрещенной зоны

2. у потолка валентной зоны

3. у дна зоны проводимости

4. между уровнем Ферми и потолком валентной зоны

12. С точки зрения зонной теории отрицательные носители тока в полупроводниках n-типа образуются в результате перехода электронов …

1. из валентной зоны в зону проводимости

2. с донорного уровня в зону проводимости

3. между уровнями валентной зоны

4. из валентной зоны на донорный уровень

13. Двойной электрический слой на границе р-n–перехода образуют …

1. дырки и электроны

2. отрицательные ионы акцепторного атома и положительные ионы донорного атома

3. отрицательные ионы донорного атома и положительные ионы и акцепторного атома

4. дырки и отрицательные ионы донорного атома

14. Положительный электрический слой на границе p-n- перехода образуется …

1. позитронами

2. положительными ионами акцепторной примеси

3. протонами

4. положительными ионами донорной примеси

15. Отрицательный электрический слой на границе p-n–перехода образуется …

1. электронами

2. дырками

3. отрицательными ионами донорных атомов

4. отрицательными ионами акцепторных атомов

16. Односторонняя проводимость р-n–перехода объясняется …

1. диффузией носителей тока

2. зависимостью сопротивления р-n–перехода от направления внешнего электрического поля

3. превышением концентрации основных носителей тока над неосновными

4. рекомбинацией носителей тока

17. Слабый ток через полупроводниковый диод при запирающем напряжении обусловлен …

1. увеличением толщины контактного слоя, обеднённого основными носителями тока

2. препятствием внешнего электрического поля движению основных носителей тока через p-n–переход

3. уменьшение сопротивления p-n перехода

4. ускорением внешним электрическим полем движения неосновных носителей тока через p-n–переход

18. Твердые тела не проводят электрический ток при 0 К, если…

1. в запрещенной зоне нет примесных уровней

2. в валентной зоне есть свободные энергетические уровни

3. зона проводимости заполнена электронами целиком

4. валентная зона заполнена электронами целиком

0,0(0 оценок)
Ответ:
АнастасияCat144
АнастасияCat144
04.02.2021 17:59
Ну тут задача не на ну ладно. Итак, нам известно, что плита гранитная, в интернетах находим плотность гранита, она равна 2600 кг/м^3. Нам известен объём плиты. Чтобы найти массу, нам нужно из формулы p(ро)=m/V выразить m=p(ро)V. Т.о. масса равна 2500*6= 15000 кг. Далее решение отталкивается от Второго закона Ньютона. Находим силу, с которой плита давит на грунт. На плиту не действуют другие внешние силы, кроме как сила притяжения Fпр= mg. Находим эту силу Fпр= 15000*10=150000 Н. По формуле давления p=F/S находим давление плиты на грунт. p=150000/1,5=100000 Па, или 100 кПа. ответ: 100 кПа. Вот так)
0,0(0 оценок)
Популярные вопросы: Физика
Полный доступ
Позволит учиться лучше и быстрее. Неограниченный доступ к базе и ответам от экспертов и ai-bota Оформи подписку
logo
Начни делиться знаниями
Вход Регистрация
Что ты хочешь узнать?
Спроси ai-бота