Пусть н=540м. p(низ) =100641п а. давление столба воздуха можно вычислить так же, как и столба жидкости: p=pgh. p - плотность воздуха, 1.29кг/м^3. внизу у нас давление обусловлено столбом воздуха высоты h (грубо говоря, толщина атмосферы) , а на верхушке башни высота столба h-н. таким образом, разница давлений будет p(низ) -p(верх) = pgн. таким образом, давление на верхушке башни равно p(низ) -pgн = 100641 - 1.29*9.8*540 = 93814.3 па. можно решить иначе. в школьном курсе есть такой факт: при подъеме на высоту 10 м, давление уменьшается на 1мм рт. ст. 1 мм рт. ст. = 133.3 па. таким образом p(верх) = р (низ) - (540/10)*133.3 =93442.8 па. различие в ответах объясняется неточностью утверждения "при подъеме на высоту 10 м, давление уменьшается на 1мм рт. ст. ", а также сильной зависимостью плотности воздуха от температуры. кстати, решение верно только в том случае, если принять плотность воздуха постоянной на всей высоте, что справедливо для таких малых высот.
Советский физик, академик Абрам Федорович Иоффе родился в городе Ромны. В 1902г. Он окончил Петербургский институт, а в 1905г. - Мюнхенский университет. В 1903 -1906г.г. работал ассистентом у знаменитого немецкого физика В. Рентгена. В его лаборатории А.Ф.Иоффе сделал крупное открытие - обнаружил внутренний фотоэффект в кристаллах диэлектриков. Вернувшись в 1906г. В Россию, он стал преподавателем в Петербургском политехническом институте. А.Ф.Иоффе совершенно по - новому поставил вопрос о подготовке физиков в России. Вместо традиционного повторения работ, выполненных иностранными учеными, он добивался от своих учеников оригинальных самостоятельных исследований, открытия и изучения новых физических явлений. Важнейшая заслуга Иоффе – создание научной школы советских физиков, из которой вышли многие ученые. В 1921 г. Он создал и долгие годы возглавлял Физико - технический институт Академии наук СССР. По его инициативе были созданы Институт полупроводников и Физико -агрономический институт, физико - технические институты в Харькове, Днепропетровске, Свердловске, Томске. А.Ф.Иоффе провел важные исследования в области физики твердого тела. Он первый применил рентгеновские лучи для исследования механизма пластической деформации монокристаллов, обнаружив скольжение слоев кристаллической решетки относительно друг друга. Ему принадлежат классические опыты, демонстрирующие важную роль поверхностных дефектов кристаллов (микроскопических трещинок) в процессах хрупкого разрушения кристаллических тел. Эти опыты разработке высокопрочных материалов. Иоффе одним из первых обратил внимание на необходимость изучения полупроводников как новых материалов для электроники и всесторонне исследовал их свойства. Эти работы положили начало развитию новых областей полупроводниковой техники - термо- и фотоэлектрических генераторов и термоэлектрических холодильных устройств. А.Ф.Иоффе - Герой Социалистического Труда, лауреат Ленинской и Государственной премий.
