Сделайте 1 В этом эксперименте вы будете измерять разность потенциалов (P.D.) через набор резисторов и ток через резисторы.
(a) Измерьте и запишите ЭДС источника питания.

ЭДС = …………………………………………………….В

(b) (I) Подключите схему рис. 1.1, гарантируя, что подвижный провод подсоединен между
1 и 2 резисторами

(II) Закройте выключатель и запишите показания вольтметра V и показание амперметра А
После записи результатов, разомкните цепь.

V = .. В

Ι = ..A

(С) Регулируя подвижный провод, резистор Р, может быть соединен последовательно с
число N других резисторов, давая различные значения напряжения и силы тока
В (b), N = 1.
Повторите (b) (II), при различных значениях N, пока у вас будет шесть наборов показаний для N, V и Ι.
опыта
Число резисторов, N
Напряжение
V, В
Сила тока
Ι, А

1

2

3

4

5

6

(d) (I) Постройте график зависимости V (ось у) от Ι (ось х).

(II) Определить y-интерсепт линии наилучшего соответствия.

y-интерсепт =

(III) Какой физический смысл имеет полученное значение y-интерсепт?

(IV) Сравните полученные результаты в 1(a) и (d) (III)

(V) Определить х-интерсепт линии наилучшего соответствия.

х-интерсепт =

(VI) Какой физический смысл имеет полученное значение х-интерсепт?

​

Закон сформулирован для материальных точек и применим для них. С некоторой долей ошибки можно применить для материальных тел, когда расстояние между ними много больше их размеров. Можно применить для тел в форме шара, если вещество распределено в нем строго равномерно по плотности.

Можно применить и для тел произвольной формы таким образом. Разделить их на материальные точки и посчитав взаимодействие каждой точки с каждой сложить эти взаимодействия векторно.

Я бы посмотрел на такого сумасшедшего.

   полупровадниками являются ве-ва, ширина запрещённой зоны которых составляет порядка нескольких электрон-вольт например  алмаз можно отнести к широкозонным полупроводникам, а арсенид индия — к узкозонным. К числу полупроводников относятся германий, кремний, селен, теллур.

   Термин полупроводники «p-тип» ,означает  положительный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников, кроме примисной основы, характеризуется дырочной природой проводимости. В четырехвалентный полупроводник в кремний добавляют небольшое количество атомов трехвалентного элемента индия

   Полупроводник n-типа
 Термин «n-тип»  означает отрицательный заряд основных носителей. Этот вид полупроводников имеет примесную природу в  четырехвалентный полупроводник кремний добавляют примесь пятивалентного полупроводника  мышьяка

 Основная статья: Транзистор
 Транзистор — полупроводниковое устройство, которое состоит из 2-х областей с полупроводниками p- или n-типа, между которыми находится область с полупроводником n- или p-типа. В транзисторе есть две области p-n перехода. Область кристалла между двумя переходами называют базой, а внешние области называют эмиттером и коллектором. 

 Квантовая статистика устранила трудности в объяснении зависимости теплоемкости газов в частности, двухатомных от температуры Согласно квантовой механике, энергия вращательного движения молекул и  колебаний атомов в молекуле могут принимать лишь дискретные значения.

 Квантовая теория электропроводности металлов - теория электропровоности основываюшаяся на квантовой механике и квантовой статистике Ферми - Дирака   В чистых полупроведниках содержание постороних примесей не привышает 10(-8)