3) Мышбяк (V группа) является донором в германии (IV группа) . Получится полупроводник n-типа. Естественно всё это верно, если полупроводник собственный
2))p-n-переход, или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых диодов, транзисторов и других электронных полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
Главное свойство p-n-перехода пропускать ток в одном направлении и не пропускать его в противоположном направлении
F=p*s , где p-давление, s-площадь соприкосновения со столом, а f в нашем случае - сила тяжести куба, т.е. f=mg (m-масса куба). площадь соприкосновения со столом s равна площади основания куба, т.е. s=a^2. тогда: m*g=p*a^2 кг масса куба равна произведению плотности меди (=8900 кг/куб.м.) на объем куба (без полой т.е.: выразим объем куба: куб.м. этот же объем v равен произведению площади поверхности куба на искомую толщину стенок d, т.е. v=6*a^2*d отсюда d равно: мм ответ: 2.4 мм
1)Вот рисунок это 1
3) Мышбяк (V группа) является донором в германии (IV группа) . Получится полупроводник n-типа. Естественно всё это верно, если полупроводник собственный
2))p-n-переход, или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников p- и n-типа, в которой происходит переход от одного типа проводимости к другому. Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых диодов, транзисторов и других электронных полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой.
Главное свойство p-n-перехода пропускать ток в одном направлении и не пропускать его в противоположном направлении
Подробнее - на -