Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
Сила действующая на протон называется силой лоренса Fл = BqV так как на тело больше не действует никаких сил , то по второму закону ньютона BqV = ma где а центростремительное ускорение а = mv^2 / R B у двух тел одниковое так же как и заряд и масса раз они оба протоны BqV = mv^2 /R Bq =mv/R 1 см = 0,01 м 2 см = 0,02 м Bq = mV1 / 0.01 Bq = mV2/0.02 тоесть mV1/0.01=mV2/0.02 делим одно на другое mV1*0.02/mV2*0.01=1 0.02V1/0.01V2 = 1 тоесть V2/V1 = 2 Ек = mV^2 / 2 так как массы одниаковые то соотношение энергии равно соотноешение скоростей Eк 2 / Ек 1 = 2 или Ек1/ Ек2 = 1/2
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
Fл = BqV
так как на тело больше не действует никаких сил , то по второму закону ньютона
BqV = ma
где а центростремительное ускорение
а = mv^2 / R
B у двух тел одниковое так же как и заряд и масса раз они оба протоны
BqV = mv^2 /R
Bq =mv/R
1 см = 0,01 м 2 см = 0,02 м
Bq = mV1 / 0.01
Bq = mV2/0.02
тоесть mV1/0.01=mV2/0.02
делим одно на другое
mV1*0.02/mV2*0.01=1
0.02V1/0.01V2 = 1
тоесть V2/V1 = 2
Ек = mV^2 / 2
так как массы одниаковые то соотношение энергии равно соотноешение скоростей
Eк 2 / Ек 1 = 2
или Ек1/ Ек2 = 1/2