1. В полупроводниках существуют отрицательные переносчики тока (электроны) и положительные переносчики тока.
2. С повышением температуры или увеличением напряженности электрического поля увеличивается количество электронов, отрывающихся от атомов кристаллической решетки. Значит, число переносчиков тока в единице объема в этом случае растет, а удельное сопротивление полупроводника уменьшается.
3. Из-за большого удельного сопротивления полупроводников постороннее электрическое поле проникает в них глубже, чем в металлы.
4. Введением примеси в полупроводник можно заметно изменить его удельное сопротивление и характер проводимости.
1. В полупроводниках существуют отрицательные переносчики тока (электроны) и положительные переносчики тока.
2. С повышением температуры или увеличением напряженности электрического поля увеличивается количество электронов, отрывающихся от атомов кристаллической решетки. Значит, число переносчиков тока в единице объема в этом случае растет, а удельное сопротивление полупроводника уменьшается.
3. Из-за большого удельного сопротивления полупроводников постороннее электрическое поле проникает в них глубже, чем в металлы.
4. Введением примеси в полупроводник можно заметно изменить его удельное сопротивление и характер проводимости.
На висоті 1 метр кінетична єнергія у 3 рази перевищує потенціальну.
Объяснение:
Дано:
h = 4 м
Е(к) > Е(п) у 3р.
Знайти: h₀
Розв’язок:
E(п) = mgh - потенціальна єнергія на висоті h.
E(к) = mv² / 2 - кінетична єнергія яблука.
За законом збереження єнергії:
E(п) = E(к) <=> mgh = mv² / 2 + mgh₀
gh = v₂ / 2 + gh₀
За умовою треба знайти, на якій висоті кінетична у 3р. більша за потенціальну:
3 * mgh₀ = mv² / 2 <=> 3 * gh₀ = v² / 2
gh = 3 * gh₀ + gh₀
gh = 4 * gh₀ <=> 4 * h₀ = h
h₀ = h / 4. h₀ = 4 / 4 м = 1 м
Відровідь: на висоті 1 метр.