2. Импульс и скорость прямо пропорциональны. Во сколько раз увел. скорость, во столько же раз импульс
3.
Импульс тележки - 4 Н × с
Импульс ядра - 7 Н × с
Импульс ядра больше, чем импульс тележки на 3 Н × с => тележка покатится назад с импульсом 3 Н × с. Масса тележки увеличится на 1 кг, так как в нем будет ядро - 6 кг. Если импульс тележки 3 Н × с, то скорость будет равна p ÷ m. 3 ÷ 6 = 0,5 м/с
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.
1 - 7,2 H × с
2 - в 2 раза
3 - назад, со скоростью 0,5 м/с
4 - не до конца задание
Объяснение:
1.
m = 0,009 кг
v = 800 м/с
p=mv
p = 800 × 0,009 = 7,2 Н × с
2. Импульс и скорость прямо пропорциональны. Во сколько раз увел. скорость, во столько же раз импульс
3.
Импульс тележки - 4 Н × с
Импульс ядра - 7 Н × с
Импульс ядра больше, чем импульс тележки на 3 Н × с => тележка покатится назад с импульсом 3 Н × с. Масса тележки увеличится на 1 кг, так как в нем будет ядро - 6 кг. Если импульс тележки 3 Н × с, то скорость будет равна p ÷ m. 3 ÷ 6 = 0,5 м/с
Від типу речовини.
Від площі перерізу S
Від довжини провідника l
Від температури
Объяснение:
Від типу речовини. У кожної речовини своя щільність кристалічних ґраток. величина взаємодії між частинками ґраток, степінь домішок. Характеристикою типу речовини вступає питомий опір матеріалу, з якого зроблений провідник.
Від площі перерізу S. Електронам провідності легше « протиснутися» між вузлами кристалічних ґраток при широкому перерізі провідника. Чим більша площа перерізу, тим більше можливостей найти «шпаринку» у міжвузольному Від довжини провідника l. На довгому шляху в довгому провідникові електрон повинен долати більше перешкод. Опір короткого провідника при інших однакових параметрах буде меншим.
Від температури. При збільшенні температури зростає тепловий рух частинок кристалічних ґраток і відповідно зростає опір провідника.