Если предмет плоский, то достаточно построить изображение его крайних точек. На рисунке приведены построения изображения для положений предмета АВ перед зеркалом. Как видно, если предмет расположен на расстоянии а1 > R (дальше центра вогнутого зеркала), то образуется перевернутое, действительное, уменьшенное изображение предмета. Для сферического зеркала оптическая сила D определяется формулой где а1и а2— расстояния предмета и изображения от зеркала, R — радиус кривизны зеркала, F — его фокусное расстояние.Отсюда Поперечное линейное увеличение в зеркалах и линзах определяется формулой. где y1 — высота предмета и y2 — высота изображения.Отсюда ответ:, изображение действительное, обратное, уменьшенное
Вариант 1. 1) Q=q*N=1,6*10^-19*8,0*10^10=12,8*10^-9Кл 2) Во вложении 4) Сначала заряд на обкладках конденсатора будет равен q=C*U.Емкость конденсатора после внесения диэлектрика с диэлектрической проницаемостью е увеличится в e раз и станет равной e*C, при этом заряд увеличится и станет равен q2=e*C*U, а значит через источник тока пройдет заряд равный q2-q=C*U(e-1) Вариант 2. 1) 6кН 2) F=k*Q1*Q2/e*R^2 Q2=e*F*R^2/k*Q1=56*120*10^-6*4*10^-4/9*10^9*10*10^-9=29,8нКл 4) C=Q/U следовательно U=Q/C. Если конденсатор отключен, то Q не изменяется С=E*Eo*S/d При увеличении d в k раз С уменьшится в k раз. Поэтому U те дельта фи . Увеличится в k раз те U=k*Uo
1) Q=q*N=1,6*10^-19*8,0*10^10=12,8*10^-9Кл
2) Во вложении
4) Сначала заряд на обкладках конденсатора будет равен q=C*U.Емкость конденсатора после внесения диэлектрика с диэлектрической проницаемостью е увеличится в e раз и станет равной e*C, при этом заряд увеличится и станет равен q2=e*C*U, а значит через источник тока пройдет заряд равный q2-q=C*U(e-1)
Вариант 2.
1) 6кН
2) F=k*Q1*Q2/e*R^2
Q2=e*F*R^2/k*Q1=56*120*10^-6*4*10^-4/9*10^9*10*10^-9=29,8нКл
4) C=Q/U следовательно U=Q/C. Если конденсатор отключен, то Q не изменяется
С=E*Eo*S/d При увеличении d в k раз С уменьшится в k раз. Поэтому
U те дельта фи . Увеличится в k раз те U=k*Uo