№1 Світло все ж таки проникає в середовище із меншим показником заломлення на незначну глибину. Це явище використовується в методі порушеного повного внутрішнього відбиття для дослідження приповерхневих шарів тіл. Явище повного внутрішнього відбиття легко гати, якщо пірнути у воду й глянути вгору.
№2 Причиною виникнення явища заломлення світла є зміна швидкості поширення світла при переході з одного середовища в інше. ... Він пов'язаний зі швидкістю поширення світла в даному середовищі, яка залежить від фізичного стану середовища (температури, густини тощо).
№1 Світло все ж таки проникає в середовище із меншим показником заломлення на незначну глибину. Це явище використовується в методі порушеного повного внутрішнього відбиття для дослідження приповерхневих шарів тіл. Явище повного внутрішнього відбиття легко гати, якщо пірнути у воду й глянути вгору.
№2 Причиною виникнення явища заломлення світла є зміна швидкості поширення світла при переході з одного середовища в інше. ... Він пов'язаний зі швидкістю поширення світла в даному середовищі, яка залежить від фізичного стану середовища (температури, густини тощо).
Напряжение на резисторах R₂ и R₁:
U₂ = U₁ = I₂R₂ = 2 · 2 = 4 (В)
Резисторы R₁ и R₂ соединены параллельно:
R₁₂ = R₁R₂/(R₁+R₂) = 1 · 2 : 3 = 2/3 (Ом)
Общая сила тока в цепи:
I = I₁₂ = I₃ = U₂/R₁₂ = 4 : 2/3 = 6 (A)
Общее сопротивление цепи:
R = R₁₂ + R₃ = 2/3 + 1 = 5/3 (Ом)
Напряжение на концах участка цепи (АВ):
U = I·R = 6 · 5/3 = 10 (B)
Если правый резистор, на самом деле не третий, а второй.
Тогда напряжение на нем:
U₂ = I₂R₂ = 2 · 2 = 4 (B)
Резисторы R₁ и R₃ соединены параллельно:
R₁₃ = R₁R₃/(R₁+R₃) = 1 · 1 : 2 = 0,5 (Ом)
Напряжение на группе R₁₃:
U₁₃ = I₁₃R₁₂ = 2 · 0,5 = 1 (В)
Напряжение на концах участка цепи (АВ):
U = U₁₃ + U₂ = 1 + 4 = 5 (B)