Растворимость веществ не зависит от:
А) природы растворителя Б) температуры В) давления Г)природы вещества
2. К нерастворимому основанию относится:
А) NaOH Б) Mg(OH) 2 В) KOH Г) Ba(OH) 2
3. Вещество больше не растворяется при данной температуре – это раствор:
А) насыщенный Б) ненасыщенный В) пересыщенный
Г) недонасыщенный
4. Основоположник химической теории растворения:
А) Вант-Гофф Б) Оствальд В) Аррениус Г) Менделеев
5. Соединение, образованное взаимодействием вещества с водой – это:
А) гидрат Б) кристаллогидрат В) аллотропия Г) изотоп
Cl
Объяснение:
Осуществите превращение.
1. С2Н5Br-С2Н4-C2H4Cl2-C2H2-C6H6-C6H5Cl
СН3 - СН2-Br + КОН (спирт) = H2C = CH2 + KBr + H2O
бромэтан этилен
H2C = CH + Cl2 = H2C --- CH2
I I
Cl Cl
1,2-дихлорэтан
H2C --- CH2 + 2 КОН (спирт) = НС≡СН + 2KCl + 2 H2O
I I ацетилен
Cl Cl
1,2-дихлорэтан
C актив t°
3 НС≡СН > С6Н6
ацетилен бензол
Cat
С6Н6 + Сl2 > C6H5Cl + HCl
хлорбензол
2. С3Н8-->-С3Н7Сl>C3H6--->C3H6Br2>C3H4-->C3H6O
СН3 - СН2- СН2 + Cl2 = СН3 - СН- СН3
I
Cl
пропан 2-хлорпропан
СН3 - СН- СН3 + KOH (спирт)> СН3 - СН = СН2 + KCl + H2O
I пропен
СН3 - СН = СН2 + Br2 > СН3 - СН --- СН2
пропен I I
Br Br
1,2-дибромпропан
СН3 - СН --- СН2 + 2 КОН (спирт) = СН3 - С ≡СН + 2KBr + 2 H2O
I I пропин
Br Br
1,2-дибромпропан
СН3 - С ≡СН + НОН = СН3 - С = СН2
пропин I пропен-1-ол-2
OH
Найменша комірка, яка зберігає усі елементи симетрії кристалу, називається елементарною коміркою.
Навіть у випадку кристалу із одним сортом атомів елементарна комірка містить кілька атомів. Наприклад, кристал заліза має кубічну об'ємноцентровану ґратку із 2 атомами в елементарній комірці. При високих температурах залізо переходить у фазу з ґранецентрованою кубічною ґраткою із 4 атомами в елементарній комірці.
Типи раток
Кристалічні системи
(Сингонія) 14 ґраток Браве
триклінна Triclinic
моноклінна примітивна базоцентрована
Monoclinic, simple Monoclinic, centered
ромбічна примітивна базоцентрована об'ємноцентрована гранецентрована
Orthorhombic, simple Orthorhombic, base-centered Orthorhombic, body-centered Orthorhombic, face-centered
гексагональна Hexagonal
тригональна Rhombohedral
тетрагональна примітивна об'ємноцентрована
Tetragonal, simple Tetragonal, body-centered
кубічна примітивна об'ємноцентрована гранецентрована
Cubic, simple Cubic, body-centered Cubic, face-centered
Основні параметри кристалічних ґраток[1]:
період або параметр ґратки дорівнює довжині ребра ґратки у напрямі головних осей кристалічної ґратки;
координаційне число (К) характеризує щільність пакування ґратки, визначає кількість найближчих і рівновіддалених атомів у певній кристалічній ґратці;
базис — це кількість атомів (іонів), що належать до однієї ґратки;
атомний радіус — це половина відстані між центрами найближчих атомів у кристалічній ґратці певної кристалічної системи;
коефіцієнт компактності — це відношення об'єму, що займають атоми (іони), до всього об'єму ґратки даного типу.
Дефекти кристалічної ґратки
Дефекти кристалічної ґратки. а — незаповнений вузол (вакансія); б — власний атом між вузлами; в — чужорідний атом між вузлами; г — чужорідний атом у вузлі; д — йон з аномальним зарядом.
Розташування структурних елементів у кристалічних ґратках мінералів рідко відповідає цій класичній картині, яка характеризується послідовним розташуванням у ґратці атомів або йонів (так звані ідеальні кристали). На противагу ідеальним кристалам, для яких характерне правильне розташування і періодичність атомів або йонів, реальні кристали відрізняються рядом відхилень — дефектів кристалічної ґратки (дислокацій). Згідно з загальноприйнятою класифікацією, розрізняють такі дефекти кристалічної ґратки (мал.):
пустий вузол, створений внаслідок випадання з ідеальної ґратки атома або йона;
власний атом або йон ґратки, розташований між її вузлами;
чужорідний атом або йон, розташований між вузлами ґратки;
чужорідний атом, який заміщає власний атом ґратки;
йон у ґратці в нормальному стані, але з аномальним зарядом.
Объяснение: