The junction field-effect transistor action. It was previously emphasized that one of the main properties of the bipolar transistor is that it is a current-controlled amplifying device; the output current is controlled by a small input current. In the case of the field-effect transistor (FET) it is the input voltage which controls the output current. The current drawn by the input is usually negligible. This is a great advantage where the signal comes from a device such as capacitor microphone or piezoelectric transducer, which is unable to supply a significant current. FET’s are basically of two types: the junction field-effect transistor (JFET) and the insulated gate field-effect transistor (IGFET). The latter is more commonly known by a name metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET).
At a point along the bar a region of p-type silicon forms a p-n junction. In normal operation, the junction is reverse-biased. The lower contact on the bar is called the source and the upper contact the drain. The electron current flows from source to drain and is controlled by the voltage applied to the p-region called the gate.
An alternative type of construction is the p-channel device where the gate is made of n-type material.
The operation of the JFET depends upon variations in the size of the depletion layer at the reverse-biased gate junction. The p-type gate is much more heavily doped than the n-type bar, so that the depletion region exists almost entirely in the bar. The gate carries a negative bias voltage relative to the source which give rise to the particular shape of the depletion region: this is wider at the top than the bottom. The wider the depletion layer, the narrower the channel there is available for the flow of electrons from source to drain, since the depletion region itself being devoid of current carries, behaves like an insulator.
Unlike the bipolar transistor, the FET employs only majority carriers for its operation. It is therefore sometimes called the unipolar transistor and is less susceptible than the bipolar type to temperature changes and nuclear radiation.
Проект "симметрия" 6 класс по попроси больше объяснений следить отметить нарушение agera2 2 минуты назадответы и объяснения vlados5467 · новичок знаешь ответ? добавь его сюда! твой ответ (выйти) vlados5467 новичок переместите файлы сюда или добавьте с жесткого диска симметрия я хз ² ³ √ ∛ · × ÷ ≈ ≠ ≤ ≥ ≡ ⇒ , ⇔ ∈ ∉ ∧ ∨ ∞ α β δ π ф ω ↑ ↓ ∵ ∴ ↔ → ← ⇵ ⇅ ⇄ ⇆ ∫ ∑ ⊂ ⊃ ⊆ ⊇ ⊄ ⊅ ∀ ° ∠ ∡ ⊥ ∪ ∩ ∅ ¬ ⊕ ║ ∦ ∞ ㏒ ㏑ ₁ ₂ ₃ ₄ ₅ ₆ ₇ ₈ ₉ ₀ ₊ ₋ ₍ ₎ ₐ ₓ ¹ ² ³ ⁴ ⁵ ⁶ ⁷ ⁸ ⁹ ⁰ ⁺ ⁻ ° ⁽ ⁾ ᵃ ᵇ ⁿ ˣ а б в г д е ж з ё и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ ъ ы ь э ю я а б в г д е ж з ё и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ ъ ы ь э ю я α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ ς σ τ υ φ χ ψ ω à â ç é è î ï ô û ÿ œ æ ß ä ö ü à â ç é è ê î ï ô û ù ÿ œ æ ä ö ü € £ ¥ ¢ ® ™ ‰ просмотр ↵вставить отменить о нет! что-то пошло не так во время добавления ответаслишком коротко. напишите минимум 20 символов, чтобы объяснить все.оставшееся время, чтобы добавить ответ: 04: 58запрещается копировать любые виды контента с различных веб-сайтов, книг, разработок и любого других материалов, если вы не владеете авторскими правами. добавить ответ букса пишет ответ мозг отвечающий уже отвечают максимальное число пользователей найдите себе другой вопрос ты - настоящий участник знаний vlados5467мы рады, что ты с нами. продолжай vlados5467теперь ты - участник сообщества! добро 2 добавь фото к профилю загрузи свою фотографию выбрать 3покажи, что ты знаешь ответь на пару вопросов vlados5467 статус: новичок 25/100 мои вызовы мои вызовыответь на 5 вопросов из любого предмета за 48 ч.: +50 б.0/51д : 23чвызовыответь на 10 вопросов из любого предмета за 48 ч.: +100 б.0/102д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 25 вопросов из любого предмета за 48 ч.: +400 б.0/252д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 5 вопросов из предмета за 48 ч.: +50 б.0/52д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 10 вопросов из предмета за 48 ч.: +100 б.0/102д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 25 вопросов из предмета за 48 ч.: +400 б.0/252д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 5 вопросов из предмета язык за 48 ч.: +50 б.0/52д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 10 вопросов из предмета язык за 48 ч.: +100 б.0/102д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 25 вопросов из предмета язык за 48 ч.: +400 б.0/252д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 5 вопросов из предмета за 24 ч.: +50 б.0/51д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 10 вопросов из предмета за 48 ч.: +100 б.0/102д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 25 вопросов из предмета за 72 ч.: +500 б.0/253д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 5 вопросов из предмета за 48 ч.: +50 б.0/52д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 10 вопросов из предмета за 48 ч.: +100 б.0/102д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 25 вопросов из предмета за 48 ч.: +400 б.0/252д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 5 вопросов из предмета биология за 24 ч.: +25 б.0/51д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 5 вопросов из предмета за 24 ч.: +50 б.0/51д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.ответь на 10 вопросов из предмета за 48 ч.: +100 б.0/102д : 00чначатьты можешь принять только один вызов за раз.
The junction field-effect transistor action. It was previously emphasized that one of the main properties of the bipolar transistor is that it is a current-controlled amplifying device; the output current is controlled by a small input current. In the case of the field-effect transistor (FET) it is the input voltage which controls the output current. The current drawn by the input is usually negligible. This is a great advantage where the signal comes from a device such as capacitor microphone or piezoelectric transducer, which is unable to supply a significant current. FET’s are basically of two types: the junction field-effect transistor (JFET) and the insulated gate field-effect transistor (IGFET). The latter is more commonly known by a name metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET).
At a point along the bar a region of p-type silicon forms a p-n junction. In normal operation, the junction is reverse-biased. The lower contact on the bar is called the source and the upper contact the drain. The electron current flows from source to drain and is controlled by the voltage applied to the p-region called the gate.
An alternative type of construction is the p-channel device where the gate is made of n-type material.
The operation of the JFET depends upon variations in the size of the depletion layer at the reverse-biased gate junction. The p-type gate is much more heavily doped than the n-type bar, so that the depletion region exists almost entirely in the bar. The gate carries a negative bias voltage relative to the source which give rise to the particular shape of the depletion region: this is wider at the top than the bottom. The wider the depletion layer, the narrower the channel there is available for the flow of electrons from source to drain, since the depletion region itself being devoid of current carries, behaves like an insulator.
Unlike the bipolar transistor, the FET employs only majority carriers for its operation. It is therefore sometimes called the unipolar transistor and is less susceptible than the bipolar type to temperature changes and nuclear radiation.
Пошаговое объяснение: