Составьте уравнение касательной к графику функции y=-10x-9/2(x+1),в точке с абсциссой x0=-5/4
Варианты ответов:
1)y=3-8x
2)y=-7x-67/4
3)y=-8x-7
4)y=-8x-17
5)y=-7x-63/4​

3. Приведите УГО транзисторов двух типов n-р-n- и р-n-рструктуры. Как маркируются такие транзисторы?

5. Объясните принцип работы БТ, включенного по схеме с

ОБ, в активном режиме при воздействии на его переходы только

постоянного напряжения.

6. Какие изменения возникнут в работе транзисторной

схемы, если на вход транзистора, включенного по схеме с ОБ и

работающею в активном режиме, подать переменный сигнал, а на

выходе включить активную нагрузку?

7. Назовите токи, текущие во внешних цепях транзистора.

Запишите первый закон Кирхгофа для токов транзистора,

работающего в активном режиме.

8. Приведите семейства статических входных и выходных

характеристик транзистора, включенного по схеме с ОБ.

Объясните их ход.

9. Приведите уравнение нагрузочной прямой. Расскажите,

как можно построить нагрузочную прямую. Для каких целей

используют на практике статические характеристики

транзистора? Нагрузочную прямую?

10. Изобразите схему усилителя на транзисторе, включенном

по схеме с ОБ. Назовите ее основные параметры и область

применения.

Пошаговое объяснение:

1. При вычисления второй стороны прямоугольника видим, что в сечении получается удвоенный "египетский" треугольник с катетами 6 и 8 и гипотенузой 10 см.
Радиус цилиндра R=8., высота = 6 см.
Объем цилиндра  V = π*R²*H = π*64*6 = 384*π ~ 1206 см³
ОТВЕТ: 384π см³
2. Для вычисления высоты призмы сначала рассчитаем площадь основания - равностороннего треугольника со стороной а= 2 м
Угол между сторонами α= 60 град.
Используем формулу 
S = 1/2*a*b*sin(α) = 2*√3/2 =√3 м²
Высота призмы H = S/a = √3/2  м²
Объем призмы V= S*H = √3*√3/2 = 3/2 = 1 1/2  м³
ОТВЕТ: 1 1/2 м³